> สินค้า > การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์

สินค้า

สินค้าใหม่

จีน การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ ผู้ผลิต ผู้จำหน่าย โรงงาน

เซมิคอนดักเตอร์ VeTek เป็นผู้ผลิตชั้นนำด้านวัสดุเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ผลิตภัณฑ์หลักของเราประกอบด้วยชิ้นส่วนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ CVD ชิ้นส่วนเคลือบ TaC เผาผนึกสำหรับการเจริญเติบโตของผลึก SiC หรือกระบวนการ epitaxy สารกึ่งตัวนำ ผ่าน ISO9001 VeTek Semiconductor มีการควบคุมคุณภาพที่ดี VeTek Semiconductor มุ่งมั่นที่จะเป็นผู้ริเริ่มในอุตสาหกรรมการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ ผ่านการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีที่ทำซ้ำอย่างต่อเนื่อง

สินค้าหลักได้แก่แหวนไกด์เคลือบ TaC, วงแหวนนำสามกลีบเคลือบ CVD TaC, แทนทาลัมคาร์ไบด์ TaC เคลือบฮาล์ฟมูน, CVD TaC เคลือบตัวรับ epitaxis ของดาวเคราะห์ SiC, แหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์, กราไฟท์มีรูพรุนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์, ตัวรับการหมุนของการเคลือบ TaC, แหวนแทนทาลัมคาร์ไบด์, แผ่นหมุนเคลือบ TaC, ตัวรับเวเฟอร์เคลือบ TaC, แหวนตัวเบี่ยงเคลือบ TaC, ฝาครอบเคลือบ CVD TaC, หัวจับเคลือบ TaCฯลฯ ความบริสุทธิ์ต่ำกว่า 5ppm สามารถตอบสนองความต้องการของลูกค้าได้

กราไฟท์ที่เคลือบ TaC ถูกสร้างขึ้นโดยการเคลือบพื้นผิวของซับสเตรตของกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงด้วยชั้นละเอียดของแทนทาลัมคาร์ไบด์โดยกระบวนการตกตะกอนด้วยไอสารเคมี (CVD) ที่เป็นกรรมสิทธิ์ ข้อดีดังแสดงไว้ในภาพด้านล่าง:

Excellent properties of TaC coating graphite

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) ได้รับความสนใจเนื่องจากมีจุดหลอมเหลวสูงถึง 3880°C มีความแข็งแรงเชิงกล ความแข็ง และความต้านทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน ทำให้เป็นทางเลือกที่น่าสนใจสำหรับกระบวนการ epitaxy สารกึ่งตัวนำแบบผสมที่มีความต้องการอุณหภูมิที่สูงขึ้น เช่น ระบบ Aixtron MOCVD และกระบวนการ epitaxy LPE SiC นอกจากนี้ยังมีการใช้งานอย่างกว้างขวางในกระบวนการเติบโตผลึก SiC วิธี PVT

คุณสมบัติที่สำคัญ:

ความเสถียรของอุณหภูมิ

มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ

ความต้านทานต่อ H2, NH3, SiH4, Si

ความต้านทานต่อสต็อกความร้อน

การยึดเกาะที่แข็งแกร่งกับกราไฟท์

ความคุ้มครองการเคลือบตามแบบฉบับ

● ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด 750 มม.(ผู้ผลิตรายเดียวในจีนถึงขนาดนี้)

การใช้งาน:

ผู้ให้บริการเวเฟอร์

● ตัวรับความร้อนแบบเหนี่ยวนำ

● องค์ประกอบความร้อนแบบต้านทาน

● แผ่นกันความร้อน

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บนหน้าตัดด้วยกล้องจุลทรรศน์:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

พารามิเตอร์ของการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ VeTek Semiconductor:

คุณสมบัติทางกายภาพของการเคลือบ TaC
ความหนาแน่น	14.3 (ก./ซม.)
การแผ่รังสีจำเพาะ	0.3
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน	6.3 10^-6/ก
ความแข็ง (ฮ่องกง)	2000 ฮ่องกง
ความต้านทาน	1×10^-5โอห์ม*ซม
เสถียรภาพทางความร้อน	<2500 ℃
การเปลี่ยนแปลงขนาดกราไฟท์	-10~-20um
ความหนาของการเคลือบ	≥20umค่าทั่วไป (35um ± 10um)

ข้อมูล EDX ของการเคลือบ TaC：

EDX data of TaC coating

ข้อมูลโครงสร้างผลึกเคลือบ TaC:

องค์ประกอบ	เปอร์เซ็นต์อะตอม
	พ.ต. 1	พ.ต. 2	พ.ต. 3	เฉลี่ย
ซีเค	52.10	57.41	52.37	53.96
พวกเขา	47.90	42.59	47.63	46.04

หัวจับเคลือบ TaC TaC เคลือบจานดาวเคราะห์
แผ่นเคลือบแทซี แผ่นหมุนเคลือบ TaC ตัวรับการเคลือบ TaC ฝาครอบเคลือบ CVD TaC แหวนเคลือบ CVD TaC แผ่นเคลือบแทซี

View as

แหวนไกด์เคลือบ TaC

แหวนไกด์เคลือบ TaC ผลิตจากกราไฟท์คุณภาพสูงและการเคลือบ TaC ในการเตรียมผลึก SiC โดยวิธี PVT วงแหวนนำเคลือบ TaC ของ VeTek Semiconductor ส่วนใหญ่จะใช้เพื่อนำทางและควบคุมการไหลของอากาศ เพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการการเติบโตของผลึกเดี่ยว และปรับปรุงผลผลิตผลึกเดี่ยว ด้วยเทคโนโลยีการเคลือบ TaC ที่ยอดเยี่ยม ผลิตภัณฑ์ของเราจึงมีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน และมีคุณสมบัติเชิงกลที่ดีเยี่ยม เรายินดีรับคำปรึกษาจากคุณอย่างจริงใจ และหวังว่าจะให้ข้อมูลผลิตภัณฑ์และการสนับสนุนทางเทคนิคที่มีรายละเอียดเพิ่มเติมแก่คุณ

อ่านเพิ่มเติม ส่งคำถาม

ดิสก์หมุนดาวเคราะห์เคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์

VeTek Semiconductor เป็นผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ชั้นนำของดิสก์หมุนดาวเคราะห์เคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ในประเทศจีน โดยมุ่งเน้นที่เทคโนโลยีการเคลือบ TaC มาหลายปี ผลิตภัณฑ์ของเรามีความบริสุทธิ์สูงและทนต่ออุณหภูมิสูงได้ดีเยี่ยม ซึ่งเป็นที่ยอมรับอย่างกว้างขวางจากผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ จานหมุนดาวเคราะห์เคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ VeTek Semiconductor ได้กลายเป็นแกนหลักของอุตสาหกรรมเยื่อบุผิวเวเฟอร์ เราหวังว่าจะสร้างความร่วมมือระยะยาวกับคุณเพื่อร่วมกันส่งเสริมความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีและการเพิ่มประสิทธิภาพการผลิต

อ่านเพิ่มเติม ส่งคำถาม

ผู้ให้บริการเวเฟอร์กราไฟท์เคลือบ TaC

VeTek Semiconductor ได้ออกแบบ TaC Coated Graphite Wafer Carrier อย่างรอบคอบสำหรับลูกค้า ประกอบด้วยกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงและการเคลือบ TaC ซึ่งเหมาะสำหรับการแปรรูปเวเฟอร์ epitaxis ต่างๆ เราเชี่ยวชาญด้านการเคลือบ SiC และ TaC มาหลายปี เมื่อเปรียบเทียบกับการเคลือบ SiC ตัวพาเวเฟอร์กราไฟท์ที่เคลือบ TaC ของเรามีความทนทานต่ออุณหภูมิและความทนทานต่อการสึกหรอสูงกว่า เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณในประเทศจีน

อ่านเพิ่มเติม ส่งคำถาม

<...6 7 8 9 10 >

ในฐานะผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ มืออาชีพในประเทศจีน เรามีโรงงานของเราเอง ไม่ว่าคุณจะต้องการบริการที่ปรับแต่งตามความต้องการเฉพาะของภูมิภาคของคุณ หรือต้องการซื้อ การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ ที่ทันสมัยและทนทานที่ผลิตในจีน คุณสามารถฝากข้อความถึงเราได้