ตัวรับ LED EPI

VeTek Semiconductor คือซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านการเคลือบ TaC และชิ้นส่วนกราไฟท์ที่เคลือบ SiC เราเชี่ยวชาญในการผลิตตัวรับ LED EPI ที่ล้ำสมัย ซึ่งจำเป็นสำหรับกระบวนการ epitaxy LED ด้วยการมุ่งเน้นที่นวัตกรรมและคุณภาพ เรานำเสนอโซลูชันที่เชื่อถือได้ซึ่งตรงตามข้อกำหนดที่เข้มงวดของอุตสาหกรรม LED ติดต่อเราวันนี้เพื่อหารือเกี่ยวกับคำถามของคุณและค้นพบว่าผลิตภัณฑ์ของเราสามารถปรับปรุงกระบวนการผลิตของคุณได้อย่างไร

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ในฐานะผู้ผลิตมืออาชีพ เราต้องการจัดหา LED EPI Susceptor คุณภาพสูงให้กับคุณ

LED EPI Susceptor ของ VeTek Semiconductor เป็นผลิตภัณฑ์ล้ำสมัยที่ออกแบบมาสำหรับกระบวนการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว LED ตัวรับคุณภาพสูงนี้ทำหน้าที่เป็นตัวพาเวเฟอร์สำหรับ LED epitaxy ซึ่งให้การสนับสนุนที่จำเป็นและรักษาการเติบโตของเวเฟอร์ LED epitaxis ด้วยคุณสมบัติที่โดดเด่นและการออกแบบขั้นสูง LED EPI Susceptor ช่วยให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูงสุดตลอดกระบวนการ epitaxy

ผลิตโดยใช้อุณหภูมิสูงระดับพรีเมี่ยม LED EPI Susceptor มีความทนทานต่ออุณหภูมิและความเสถียรทางเคมีที่โดดเด่น การออกแบบทางวิศวกรรมอย่างพิถีพิถันรับประกันการสัมผัสที่สม่ำเสมอและการเติบโตของเวเฟอร์เอพิแทกเซียล ขณะเดียวกันก็ให้ความเรียบของพื้นผิวและความต้านทานการสึกหรอที่เหนือกว่า โครงสร้างและขนาดของตัวรับได้รับการปรับแต่งให้สามารถรองรับเวเฟอร์เอพิแทกเซียลขนาดต่างๆ ได้ โดยสามารถรองรับเส้นผ่านศูนย์กลางและความหนาต่างๆ ได้อย่างง่ายดาย

LED EPI Susceptor รวมเอาการนำความร้อนที่ดีเยี่ยม กระจายความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพ เพื่อรักษาอุณหภูมิการเติบโตที่มั่นคงสำหรับเวเฟอร์เอพิแทกเซียล คุณสมบัติที่สำคัญนี้ช่วยเพิ่มความเสถียรและความสม่ำเสมอของกระบวนการ ทำให้มั่นใจได้ว่า LED จะเติบโตอย่างสม่ำเสมอและมีคุณภาพสูง

เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพให้ดียิ่งขึ้น LED EPI Susceptor จึงถูกเคลือบด้วยฟิล์มบางแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) ระดับพรีเมียม การเคลือบนี้ให้ความเสถียรที่อุณหภูมิสูงเป็นพิเศษ ทนต่อสารเคมี ความแข็ง ความต้านทานการสึกหรอ และการนำความร้อนที่ดีขึ้น การเคลือบ TaC ช่วยเพิ่มความทนทานและความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์ได้อย่างมาก ทำให้มั่นใจได้ถึงอายุการใช้งานที่ยาวนานและประสิทธิภาพสูงสุด

LED EPI Susceptor ของ VeTek Semiconductor มีความเข้ากันได้อย่างราบรื่นกับอุปกรณ์และกระบวนการเอพิแทกซี LED ต่างๆ ทำให้กลายเป็นโซลูชันอเนกประสงค์สำหรับความต้องการการเติบโตของเวเฟอร์เอพิเทเชียลที่หลากหลาย LED EPI Susceptor มอบความเป็นเลิศและความแม่นยำ เป็นตัวเลือกที่เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการบรรลุกระบวนการ epitaxy LED ที่เชื่อถือได้และมีประสิทธิภาพ

สัมผัสประสบการณ์การปฏิวัติ epitaxy ด้วย LED EPI Susceptor ของ VeTek Semiconductor ซึ่งเป็นโซลูชันที่เชื่อถือได้สำหรับการเติบโตของ LED ที่เหนือกว่า

คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของการเคลือบ TaC:

คุณสมบัติทางกายภาพของการเคลือบ TaC
ความหนาแน่น	14.3 (ก./ซม.)
การแผ่รังสีจำเพาะ	0.3
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน	6.3 10-6/ก
ความแข็ง (ฮ่องกง)	2000 ฮ่องกง
ความต้านทาน	1×10-5 โอห์ม*ซม
เสถียรภาพทางความร้อน	<2500 ℃
การเปลี่ยนแปลงขนาดกราไฟท์	-10~-20um
ความหนาของการเคลือบ	≥20umค่าทั่วไป (35um ± 10um)