แหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์

แหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เซมิคอนดักเตอร์ VeTek สร้างขึ้นจากกราไฟท์และเคลือบด้วยแทนทาลัมคาร์ไบด์ ซึ่งเป็นการผสมผสานที่ใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติที่ดีที่สุดของวัสดุทั้งสองชนิด เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพที่เหนือกว่าและอายุการใช้งานที่ยาวนาน 

การเคลือบ TaC บนวงแหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ช่วยให้แน่ใจว่าจะยังคงมีความเฉื่อยทางเคมีในบรรยากาศที่เกิดปฏิกิริยาของเตาเติบโตของผลึก SiC ซึ่งมักเกี่ยวข้องกับก๊าซ เช่น ไฮโดรเจน อาร์กอน และไนโตรเจน ความเฉื่อยของสารเคมีนี้มีความสำคัญต่อการป้องกันการปนเปื้อนของผลึกที่กำลังเติบโต ซึ่งอาจนำไปสู่ข้อบกพร่องและลดประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสุดท้าย นอกจากนี้ ความเสถียรทางความร้อนที่ได้จากการเคลือบ TaC ช่วยให้วงแหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพที่อุณหภูมิสูงซึ่งจำเป็นสำหรับการเจริญเติบโตของผลึก SiC ซึ่งโดยทั่วไปจะมีอุณหภูมิสูงเกิน 2000°C

สมบัติเชิงกลของ TaC ช่วยลดการสึกหรอของวงแหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ได้อย่างมาก สิ่งนี้มีความสำคัญเนื่องจากธรรมชาติของกระบวนการเติบโตของคริสตัลซ้ำๆ ซึ่งทำให้วงแหวนนำต้องเผชิญกับวงจรความร้อนและความเครียดเชิงกลบ่อยครั้ง ความแข็งและความต้านทานการสึกหรอของ TaC ช่วยให้มั่นใจได้ว่าแหวนเคลือบ TaC จะรักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างและขนาดที่แม่นยำในระยะเวลาอันยาวนาน ลดความจำเป็นในการเปลี่ยนบ่อยครั้งและลดการหยุดทำงานของกระบวนการผลิต 

นอกจากนี้ การผสมผสานระหว่างกราไฟท์และ TaC ในวงแหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการจัดการความร้อนภายในเตาปลูกคริสตัล การนำความร้อนสูงของกราไฟต์กระจายความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ป้องกันฮอตสปอต และส่งเสริมการเติบโตของคริสตัลที่สม่ำเสมอ ในขณะเดียวกัน การเคลือบ TaC ทำหน้าที่เป็นเกราะป้องกันความร้อน ปกป้องแกนกราไฟท์จากการสัมผัสโดยตรงกับอุณหภูมิสูงและก๊าซที่เกิดปฏิกิริยา การทำงานร่วมกันระหว่างแกนกลางและวัสดุเคลือบนี้ส่งผลให้วงแหวนนำทางซึ่งไม่เพียงทนทานต่อสภาวะที่ไม่เอื้ออำนวยเท่านั้นการเติบโตของคริสตัล SiCแต่ยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและคุณภาพของกระบวนการโดยรวมอีกด้วย

แหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ VeTek เป็นส่วนประกอบสำคัญในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อการเติบโตของคริสตัลซิลิคอนคาร์ไบด์- การออกแบบใช้ประโยชน์จากความแข็งแกร่งของกราไฟท์และแทนทาลัมคาร์ไบด์ เพื่อมอบประสิทธิภาพที่โดดเด่นในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีความเครียดสูง การเคลือบ TaC ช่วยให้มั่นใจถึงความเฉื่อยทางเคมี ความทนทานเชิงกล และความเสถียรทางความร้อน ซึ่งทั้งหมดนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการผลิตผลึก SiC คุณภาพสูง ด้วยการคงความสมบูรณ์และฟังก์ชันการทำงานภายใต้สภาวะที่รุนแรง วงแหวนจึงรองรับการเติบโตของคริสตัล SiC ที่มีประสิทธิภาพและปราศจากข้อบกพร่อง ซึ่งมีส่วนช่วยในการพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงและความถี่สูง

VeTek Semiconductor เป็นผู้ผลิตและจำหน่ายชั้นนำของการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์, การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์และกราไฟท์พิเศษในประเทศจีน เรามีความมุ่งมั่นมาอย่างยาวนานในการนำเสนอโซลูชั่นเทคโนโลยีและผลิตภัณฑ์ขั้นสูงสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ และหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณในประเทศจีน

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC)บนหน้าตัดด้วยกล้องจุลทรรศน์：

ภาพรวมของห่วงโซ่อุตสาหกรรม epitaxy ชิปเซมิคอนดักเตอร์：