สินค้า
ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล
  • ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัลท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล
  • ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัลท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล
  • ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัลท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล
  • ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัลท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล

ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล

VeTek Semiconductor เป็นผู้ผลิตท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ชั้นนำสำหรับผู้ผลิต Crystal Growth และผู้ริเริ่มในประเทศจีน เรามีความเชี่ยวชาญในการเคลือบเซรามิกมาหลายปี ผลิตภัณฑ์ของเรามีความบริสุทธิ์สูงและทนต่ออุณหภูมิสูง เราหวังว่าจะเป็นพันธมิตรระยะยาวของคุณ ในประเทศจีน

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

คุณสามารถมั่นใจได้ในการซื้อท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์แบบกำหนดเองเพื่อการเติบโตของคริสตัลจาก VeTek Semiconductor เราหวังว่าจะร่วมมือกับคุณ หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติม คุณสามารถปรึกษาเราได้ตอนนี้ เราจะตอบกลับคุณทันเวลา!


VeTek Semiconductor นำเสนอท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์สำหรับการเติบโตของคริสตัล ที่ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับการเติบโตของคริสตัล SiC โดยใช้วิธี Physical Vapour Transport (PVT) หลอดกราไฟท์ของ VeTek Semiconductor มีความบริสุทธิ์สูงด้วยการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ CVD ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่ดีที่สุดในการเติบโตของคริสตัล SiC ผลึก SiC หรือที่รู้จักกันในชื่อเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม มีศักยภาพมหาศาลในการใช้งานต่างๆ ด้วยการใช้ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล นักวิจัยและผู้เชี่ยวชาญในอุตสาหกรรมจึงสามารถเพิ่มประสิทธิภาพการเติบโตของ SiC ได้อย่างมีประสิทธิภาพ และผลิตลูกเปตองคริสตัล SiC คุณภาพสูง ไม่ว่าคุณจะมีส่วนร่วมในการวิจัยหรือการผลิตทางอุตสาหกรรม ผลิตภัณฑ์ของเราก็มอบโซลูชันที่เชื่อถือได้สำหรับการเติบโตของผลึก SiC ที่มีประสิทธิภาพ


นอกจากท่อกราไฟท์เคลือบ TaC แล้ว VeTek Semiconductor ยังจำหน่ายวงแหวนเคลือบ TaC, เบ้าหลอมเคลือบ TaC, กราไฟท์เคลือบ TaC, ตัวรับกราไฟท์เคลือบ TaC, วงแหวนนำทางเคลือบ TaC, แผ่นเคลือบ TaC แทนทาลัมคาร์ไบด์, วงแหวนเคลือบ TaC, ฝาครอบกราไฟท์เคลือบ TaC, เคลือบ TaC ชิ้นสำหรับเตาเติบโตคริสตัลดังนี้:


TaC coated graphite tube


วิธี PVT SiC Crystal Growth

PVT method SiC Crystal Growth


พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์ของท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เพื่อการเติบโตของคริสตัล


คุณสมบัติทางกายภาพของการเคลือบ TaC
ความหนาแน่น 14.3 (ก./ซม.)
การแผ่รังสีจำเพาะ 0.3
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน 6.3 10-6/ก
ความแข็ง (ฮ่องกง) 2000 ฮ่องกง
ความต้านทาน 1×10-5โอห์ม*ซม
เสถียรภาพทางความร้อน <2500 ℃
การเปลี่ยนแปลงขนาดกราไฟท์ -10~-20um
ความหนาของการเคลือบ ≥20umค่าทั่วไป (35um ± 10um)


ประสิทธิภาพของเวเฟอร์หลังจากใช้ส่วนประกอบของเรา

Wafer performance after using our components


ร้านผลิตเซมิคอนดักเตอร์ VeTek

Veteksemi Tantalum Carbide Coated Tube for Crystal Growth shops


ภาพรวมของห่วงโซ่อุตสาหกรรม epitaxy ชิปเซมิคอนดักเตอร์:

the semiconductor chip epitaxy industry chain


แท็กยอดนิยม: ท่อเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์สำหรับการเติบโตของคริสตัล จีน ผู้ผลิต ผู้จัดจำหน่าย โรงงาน กำหนดเอง ซื้อ ขั้นสูง ทนทาน ผลิตในประเทศจีน
หมวดหมู่ที่เกี่ยวข้อง
ส่งคำถาม
โปรดส่งคำถามของคุณในแบบฟอร์มด้านล่าง เราจะตอบกลับคุณภายใน 24 ชั่วโมง
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept