ตัวพาเวเฟอร์ SiC แนวนอน

เวเทค เซมิคอนดักเตอร์ตัวพาเวเฟอร์ SiC แนวนอน/เรือมีจุดหลอมเหลวที่สูงมาก (ประมาณ 2,700°C) ซึ่งทำให้สามารถตัวพาเวเฟอร์ SiC แนวนอน/เรือทำงานได้อย่างเสถียรในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงโดยไม่มีการเสียรูปหรือเสื่อมสลาย คุณลักษณะนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกระบวนการต่างๆ เช่น การหลอมที่อุณหภูมิสูงหรือการสะสมไอสารเคมี (CVD)

ที่ตัวพาเวเฟอร์ SiC แนวนอน/เรือมีบทบาทโดยเฉพาะในกระบวนการบรรทุกพาหะเวเฟอร์ดังต่อไปนี้:

การแบกและการสนับสนุนเวเฟอร์ซิลิคอน: เรือ SiC Wafer แนวนอนส่วนใหญ่จะใช้เพื่อบรรทุกและรองรับเวเฟอร์ซิลิคอนในระหว่างการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ สามารถจัดเรียงเวเฟอร์ซิลิคอนหลายตัวเข้าด้วยกันอย่างแน่นหนาเพื่อให้แน่ใจว่าพวกมันยังคงอยู่ในตำแหน่งที่ดีและมีเสถียรภาพตลอดกระบวนการประมวลผลทั้งหมด

ความร้อนและความเย็นสม่ำเสมอ: เนื่องจาก SiC มีการนำความร้อนสูง เรือ Wafer จึงสามารถกระจายความร้อนไปยังเวเฟอร์ซิลิคอนทั้งหมดได้อย่างมีประสิทธิภาพ สิ่งนี้ช่วยให้ได้รับความร้อนหรือความเย็นที่สม่ำเสมอของเวเฟอร์ซิลิคอนในระหว่างการประมวลผลที่อุณหภูมิสูง ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความสม่ำเสมอและความน่าเชื่อถือของกระบวนการประมวลผล

ป้องกันการปนเปื้อน: ความเสถียรทางเคมีของ SiC ช่วยให้ทำงานได้ดีในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีก๊าซที่มีฤทธิ์กัดกร่อน จึงช่วยลดการสัมผัสเวเฟอร์ซิลิคอนกับสารปนเปื้อนหรือสารทำปฏิกิริยาที่อาจเกิดขึ้นได้ จึงรับประกันความบริสุทธิ์และคุณภาพของเวเฟอร์ซิลิคอน

ในความเป็นจริง เรือเวเฟอร์ SiC แนวนอนสามารถมีบทบาทข้างต้นได้เนื่องจากคุณลักษณะเฉพาะของผลิตภัณฑ์:

มีเสถียรภาพทางเคมีที่ดีเยี่ยม: วัสดุ SiC มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเยี่ยมต่อตัวกลางสารเคมีหลายชนิด ในกระบวนการแปรรูปก๊าซหรือของเหลวที่มีฤทธิ์กัดกร่อน SiC Wafer Boat สามารถต้านทานการกัดกร่อนของสารเคมีได้อย่างมีประสิทธิภาพ และปกป้องเวเฟอร์ซิลิคอนจากการปนเปื้อนหรือความเสียหาย

การนำความร้อนสูง: ค่าการนำความร้อนสูงของ SiC ช่วยกระจายความร้อนอย่างสม่ำเสมอในกระบวนการพาหะ และลดการสะสมความร้อน สิ่งนี้สามารถปรับปรุงความแม่นยำของการควบคุมอุณหภูมิในระหว่างการประมวลผลที่แม่นยำ และรับประกันการให้ความร้อนหรือความเย็นที่สม่ำเสมอของเวเฟอร์ซิลิคอน

ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ: ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำของวัสดุ SiC หมายความว่าการเปลี่ยนแปลงมิติของ SiC Wafer Boat มีขนาดเล็กมากในระหว่างการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ ซึ่งช่วยรักษาความเสถียรของมิติในระหว่างการประมวลผลที่อุณหภูมิสูง และป้องกันการเสียรูปหรือการเคลื่อนตัวของตำแหน่งของเวเฟอร์ซิลิคอนที่เกิดจากการขยายตัวเนื่องจากความร้อน

คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของตัวพาเวเฟอร์ SiC แนวนอน:

ร้านผลิตเซมิคอนดักเตอร์ VeTek:

ภาพรวมของห่วงโซ่อุตสาหกรรม epitaxy ชิปเซมิคอนดักเตอร์: