ซิลิคอนออนฉนวนเวเฟอร์

หลักการทำงานของเวเทค เซมิคอนดักเตอร์ของเวเฟอร์ซิลิคอนบนฉนวนขึ้นอยู่กับโครงสร้างที่เป็นเอกลักษณ์และคุณสมบัติของวัสดุเป็นหลัก และ ซอยเวเฟอร์ประกอบด้วยสามชั้น: ชั้นบนสุดเป็นชั้นอุปกรณ์ซิลิคอนผลึกเดี่ยว ชั้นกลางเป็นชั้นฉนวน Buried OXide (BOX) และชั้นล่างเป็นสารตั้งต้นซิลิกอนที่รองรับ

การก่อตัวของชั้นฉนวน: เวเฟอร์ซิลิคอนออนฉนวนมักผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี Smart Cut™ หรือเทคโนโลยี SIMOX (การแยกโดย OXygen ฝัง) เทคโนโลยี Smart Cut™ ฉีดไอออนไฮโดรเจนลงในแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนเพื่อสร้างชั้นฟอง จากนั้นจึงเชื่อมแผ่นเวเฟอร์ที่ฉีดไฮโดรเจนเข้ากับเวเฟอร์ซิลิคอนที่รองรับ หลังจากการอบชุบด้วยความร้อน แผ่นเวเฟอร์ที่ฉีดไฮโดรเจนจะถูกแยกออกจากชั้นฟองเพื่อสร้างโครงสร้างซอย เทคโนโลยี SIMOX ฝังไอออนออกซิเจนพลังงานสูงลงในเวเฟอร์ซิลิคอนเพื่อสร้างชั้นซิลิคอนออกไซด์ที่อุณหภูมิสูง

ลดความจุของปรสิต: เลเยอร์ BOX ของเวเฟอร์ซิลิคอนบนฉนวนแยกชั้นอุปกรณ์และซิลิกอนฐานออกได้อย่างมีประสิทธิภาพ ช่วยลดความจุของปรสิตได้อย่างมาก การแยกนี้ช่วยลดการใช้พลังงานและเพิ่มความเร็วและประสิทธิภาพของอุปกรณ์

หลีกเลี่ยงผลกระทบจากการยึดเกาะ: อุปกรณ์ n-well และ p-well ในซอยเวเฟอร์ถูกแยกออกจากกันโดยสิ้นเชิง หลีกเลี่ยงเอฟเฟกต์การสลักในโครงสร้าง CMOS แบบเดิม สิ่งนี้ช่วยให้เวเฟอร์ซิลิคอนออนฉนวน เพื่อผลิตด้วยความเร็วสูงขึ้น

ฟังก์ชั่นหยุดการจำหลัก: ชั้นอุปกรณ์ซิลิคอนผลึกเดี่ยวและโครงสร้างชั้น BOX ของเวเฟอร์ SOI ช่วยอำนวยความสะดวกในการผลิต MEMS และอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ โดยมีฟังก์ชันหยุดการกัดกรดที่ยอดเยี่ยม

ด้วยลักษณะเหล่านี้เวเฟอร์ซิลิคอนบนฉนวนมีบทบาทสำคัญในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์และส่งเสริมการพัฒนาอย่างต่อเนื่องของอุตสาหกรรมวงจรรวม (IC) และระบบไมโครเครื่องกลไฟฟ้า (MEMS) เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้สื่อสารและความร่วมมือกับคุณต่อไป

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์：

ร้านผลิต:

ภาพรวมของห่วงโซ่อุตสาหกรรม epitaxy ชิปเซมิคอนดักเตอร์：