> ข่าว

ข่าว

เวเฟอร์ซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์: คุณสมบัติของวัสดุของซิลิคอน, GaAs, SiC และ GaN

บทความนี้วิเคราะห์คุณสมบัติของวัสดุของเวเฟอร์ซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์ เช่น ซิลิคอน, GaAs, SiC และ GaN

เทคโนโลยี epitaxy อุณหภูมิต่ำที่ใช้ GaN

บทความนี้จะอธิบายเทคโนโลยี epitaxis ที่อุณหภูมิต่ำที่ใช้ GaN เป็นหลัก รวมถึงโครงสร้างผลึกของวัสดุที่ใช้ GaN 3. ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี epitaxis และโซลูชั่นการใช้งาน ข้อดีของเทคโนโลยี epitaxis ที่อุณหภูมิต่ำตามหลักการ PVD และแนวโน้มการพัฒนาของ เทคโนโลยี epitaxis ที่อุณหภูมิต่ำ

อ่านเพิ่มเติม

CVD TaC และ TaC เผาผนึกแตกต่างกันอย่างไร

<...3 4 5 6 7...10 >

ข่าว

เวเฟอร์ซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์: คุณสมบัติของวัสดุของซิลิคอน, GaAs, SiC และ GaN

เทคโนโลยี epitaxy อุณหภูมิต่ำที่ใช้ GaN

CVD TaC และ TaC เผาผนึกแตกต่างกันอย่างไร

จะเตรียมการเคลือบ CVD TaC ได้อย่างไร

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์คืออะไร?

เหตุใดการเคลือบ SiC จึงเป็นวัสดุหลักที่สำคัญสำหรับการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว SiC