ตัวรับ Epi เคลือบ SiC

Vetek Semiconductor เป็นผู้ผลิตมืออาชีพในประเทศจีนสำหรับ SiC Coating Epi Susceptor

SiC Coating Epi Susceptor ของ VeTek Semiconductor ผลิตจากกราไฟท์และซิลิคอนคาร์ไบด์ ผลิตภัณฑ์การเคลือบ SiC นี้ใช้กราไฟท์นำเข้า ซึ่งมีประสิทธิภาพที่เสถียรกว่าและมีอายุการใช้งานยาวนาน และได้รับการยกย่องอย่างสูงจากลูกค้าในยุโรปและอเมริกาของเรา ในเวลาเดียวกัน ความเข้มข้นของตัวรับ SiC Coating Epi ต่ำกว่า 5ppm และความสม่ำเสมอดีมาก หลังจากการอัพเกรดทางเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่อง VeTek Semiconductor จะใช้กระบวนการใหม่เพื่อสร้างการจับคู่ที่ดีระหว่างค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนของการเคลือบ SiC และวัสดุกราไฟท์

SiC Coating Epi Susceptor ถูกใช้เป็นพิเศษในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีฤทธิ์กัดกร่อนในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ตัวรับ Epi ของการเคลือบ SiC มักใช้ในอุปกรณ์ เช่น AIXTRON โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกระบวนการ epitaxy อัลตราไวโอเลตระดับลึก (DUV Epitaxy) ซึ่งมีบทบาทสำคัญ

ในกระบวนการ epitaxy อัลตราไวโอเลตระดับลึก (DUV Epitaxy) ผสมผสานกับความต้านทานต่ออุณหภูมิสูงและความต้านทานการกัดกร่อนที่ยอดเยี่ยมของ SiC Coating Epi Susceptor โดยปกติแล้ว SiC Coating Epi Susceptor จะถูกติดตั้งรอบๆ ห้องปฏิกิริยาในอุปกรณ์ AIXTRON ในฐานะตัวพาระหว่างกระบวนการ epitaxy จาก ทำให้อุปกรณ์เสียหายหรือปนเปื้อน

ตัวรับ Epi ของการเคลือบ SiC นี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับ epitaxy อัลตราไวโอเลตระดับลึก เราควบคุมการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์อย่างเข้มงวด รวมเทคโนโลยีชั้นบัฟเฟอร์เพื่อลดปัญหาที่เกิดจากความแตกต่างของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนระหว่างการเคลือบกราไฟท์และซิลิคอนคาร์ไบด์ ซึ่งจะช่วยยืดอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์ ปัจจุบันผลิตภัณฑ์ของเราได้รับรางวัลมากมายและได้รับการยอมรับว่าเป็นหนึ่งในผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุดในตลาดภายในประเทศ

ในฐานะผู้นำอุตสาหกรรมด้านผลิตภัณฑ์เคลือบ SiC VeTek Semiconductor สนับสนุนบริการปรับแต่งผลิตภัณฑ์และราคาผลิตภัณฑ์ที่น่าพอใจ และหวังว่าจะได้รับคำปรึกษาเพิ่มเติมจากคุณ

ข้อมูล SEM ของฟิล์ม CVD SIC:

ร้านค้าผลิตภัณฑ์กระโปรงเคลือบ SiC ของ VeTek Semiconductor:

ภาพรวมของห่วงโซ่อุตสาหกรรม epitaxy ชิปเซมิคอนดักเตอร์: