แหวนรองรับเคลือบ SiC

เวเทค เซมิคอนดักเตอร์เป็นผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ชั้นนำในประเทศจีน มีความเชี่ยวชาญในการผลิตผลิตภัณฑ์หลากหลายประเภท ได้แก่วงแหวนรองรับเคลือบ SiC, การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ CVD, การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์, SiC จำนวนมาก, ผง SiC และวัสดุ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง ความทุ่มเทของเราอยู่ที่การให้ความช่วยเหลือด้านเทคนิคอย่างครอบคลุมและความละเอียดของผลิตภัณฑ์ที่เหมาะสมที่สุดซึ่งออกแบบมาเพื่อภาคเซมิคอนดักเตอร์โดยเฉพาะ โปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลเพิ่มเติมและความช่วยเหลือ

เวเทค เซมิคอนดักเตอร์ของวงแหวนรองรับเคลือบ SiCเป็นวัสดุทนอุณหภูมิสูงยุคใหม่ เนื่องจากเป็นสารเคลือบที่ทนต่อการกัดกร่อน สารเคลือบที่ทนต่อการออกซิเดชั่น และสารเคลือบที่ทนต่อการสึกหรอ จึงสามารถใช้ได้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงกว่า 1,650°C และมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในสาขาเซมิคอนดักเตอร์

คุณสมบัติคุณภาพสูงของวงแหวนรองรับเคลือบ SiCมีบทบาทสำคัญในการเจริญเติบโตของ epitaxis ของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม

รักษาความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ: วงแหวนรองรับที่เคลือบ SiC มีค่าการนำความร้อนที่ดีเยี่ยม และสามารถกระจายอุณหภูมิได้สม่ำเสมอในระหว่างการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว ซึ่งจะช่วยลดการไล่ระดับความร้อนและความเค้นบนพื้นผิวเวเฟอร์ ซึ่งจะช่วยปรับปรุงคุณภาพของชั้นเอพิแทกเซียล

ความเสถียรทางเคมีขั้นสุดยอด: ในระหว่างกระบวนการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิววงแหวนรองรับเคลือบ SiCสามารถต้านทานการโจมตีทางเคมีจากก๊าซปฏิกิริยา ยืดอายุของวงแหวนรองรับ และรักษาความสมบูรณ์ของกระบวนการ ความเสถียรทางเคมีนี้ช่วยลดความเสี่ยงของการปนเปื้อนและปรับปรุงความบริสุทธิ์และประสิทธิภาพของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

ตำแหน่งที่แม่นยำ: วงแหวนรองรับที่เคลือบ SiC สามารถรักษาตำแหน่งที่แม่นยำของเวเฟอร์ ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการสะสมของชั้นที่สม่ำเสมอ การวางตำแหน่งที่แม่นยำนี้ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความสม่ำเสมอของความหนาและคุณภาพของชั้นเยื่อบุผิว

คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของการเคลือบ CVD SiC:

ร้านผลิตเซมิคอนดักเตอร์ VeTek:

ภาพรวมของห่วงโซ่อุตสาหกรรม epitaxy ชิปเซมิคอนดักเตอร์: