> ข่าว > ข่าวอุตสาหกรรม

ข่าวอุตสาหกรรม

ประวัติการพัฒนา 3C SiC

ด้วยความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่องและการวิจัยกลไกเชิงลึก เทคโนโลยี 3C-SiC เฮเทอโรเอปิแอกเซียล คาดว่าจะมีบทบาทสำคัญในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ และส่งเสริมการพัฒนาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง

อ่านเพิ่มเติม

สูตรการสะสมชั้นอะตอมของ ALD

ALD เชิงพื้นที่ การสะสมชั้นอะตอมที่แยกได้ในเชิงพื้นที่ เวเฟอร์จะเคลื่อนที่ระหว่างตำแหน่งต่างๆ และสัมผัสกับสารตั้งต้นที่แตกต่างกันในแต่ละตำแหน่ง รูปด้านล่างนี้เป็นการเปรียบเทียบระหว่าง ALD แบบดั้งเดิมกับ ALD ที่แยกเชิงพื้นที่

อ่านเพิ่มเติม

ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีแทนทาลัมคาร์ไบด์ SiC epitaxis มลพิษลดลง 75%?

เมื่อเร็วๆ นี้ สถาบันวิจัยของเยอรมนี Fraunhofer IISB ได้สร้างความก้าวหน้าในการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ และพัฒนาโซลูชันการเคลือบแบบสเปรย์ที่มีความยืดหยุ่นและเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมมากกว่าโซลูชันการสะสม CVD และได้ดำเนินการเชิงพาณิชย์แล้ว

อ่านเพิ่มเติม

การประยุกต์ใช้เทคโนโลยีการพิมพ์ 3 มิติเชิงสำรวจในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

ในยุคของการพัฒนาทางเทคโนโลยีอย่างรวดเร็ว การพิมพ์ 3 มิติในฐานะตัวแทนสำคัญของเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง กำลังค่อยๆ เปลี่ยนโฉมหน้าของการผลิตแบบดั้งเดิม ด้วยการเติบโตอย่างต่อเนื่องของเทคโนโลยีและการลดต้นทุน เทคโนโลยีการพิมพ์ 3 มิติได้แสดงให้เห็นโอกาสการใช้งานที่กว้างขวางในหลายสาขา เช่น การบินและอวกาศ การผ......

อ่านเพิ่มเติม

เทคโนโลยีการเตรียม epitaxy ของซิลิคอน (Si)

วัสดุผลึกเดี่ยวเพียงอย่างเดียวไม่สามารถตอบสนองความต้องการในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ต่างๆ ที่กำลังเติบโตได้ ในตอนท้ายของปี 1959 ได้มีการพัฒนาเทคโนโลยีการเจริญเติบโตของวัสดุผลึกเดี่ยวชั้นบาง ๆ - การเจริญเติบโตของเยื่อบุผิวได้รับการพัฒนา

อ่านเพิ่มเติม

ขึ้นอยู่กับเทคโนโลยีเตาเติบโตคริสตัลเดี่ยวซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 8 นิ้ว

ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นหนึ่งในวัสดุที่เหมาะสำหรับการผลิตอุปกรณ์ที่มีอุณหภูมิสูง ความถี่สูง กำลังสูง และไฟฟ้าแรงสูง เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตและลดต้นทุน การเตรียมพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ขนาดใหญ่ถือเป็นทิศทางการพัฒนาที่สำคัญ

อ่านเพิ่มเติม

<...6 7 8 9 10 >